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关于pn结正向大注入特性

王以铭

王以铭. 关于pn结正向大注入特性[J]. 北京工业大学学报, 1984, 10(3): 43-49.
引用本文: 王以铭. 关于pn结正向大注入特性[J]. 北京工业大学学报, 1984, 10(3): 43-49.
Wang Yi-ming. On the I-V Characteristics for High-Level Injection of pn Junctions[J]. Journal of Beijing University of Technology, 1984, 10(3): 43-49.
Citation: Wang Yi-ming. On the I-V Characteristics for High-Level Injection of pn Junctions[J]. Journal of Beijing University of Technology, 1984, 10(3): 43-49.

关于pn结正向大注入特性

On the I-V Characteristics for High-Level Injection of pn Junctions

  • 摘要: 通过计算多数载流子准费密能级的降落,得到比较严格的边界条件和Ⅰ-Ⅴ特性。数值计算结果表明,当高阻区宽度Wp与有效扩散长度LH的此值较小时(Wp/LH≾3),Ⅰ-Ⅴ特性大致符合exp(qVF/2kT)的规律;而当Wp/LH较大时,Ⅰ-Ⅴ特性与此完全偏离,找不出符合此规律的范围,甚至难以表达为exp(qVFkT)的形式。
    Abstract: By computing the drop of the quasi-Fermi level of majority carriers, the author obtained a rigorous boundary condition and thus the I-V characteristics for a forward-bias pn junction under high-level injection. The computed numerical results show that when Wp/LH<3 (WP is the width of the high-resistivity region, and LH the effective diffusion length), the I-V characteristic follows the exp (qVF/2kT) law, whereas WP/LH ≳ 3, the characteristic departs from this law, and even can not be expressed in the form of exp (qVF/λkT).
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出版历程
  • 收稿日期:  1984-05-08
  • 网络出版日期:  2022-08-08
  • 发布日期:  1984-09-09

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