Superjunction Collector SiGe HBT With Figure of Merit of High Frequency High Voltage and High Current
-
摘要:
为了在兼顾特征频率( f T)和电流增益( β)的情况下有效提高器件的击穿电压(BV CBO/BV CEO),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区SiGe异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型. 研究表明:通过在集电结空间电荷区(collector-base space charge region,CB SCR)内引入p型超结层可有效降低“死区”内的电场强度,使较高的电场强度转移至“死区”外较深的CB SCR内,进而在几乎不增加CB SCR宽度的情况下抑制碰撞电离,达到提高击穿电压、改善 f T和 β的目的. 随着p型超结层厚度( d p)的增加,击穿电压BV CBO和BV CEO的改善也越明显. 但 d p值需优化,较大的 d p值将引发Kirk效应,大幅降低器件的 f T和 β. 进一步通过优化p型超结层的 d p值,设计出一款 d p为0.2μm且具有高频高压大电流优值( f T×BV CEO× β)的新型超结集电区SiGe HBT. 结果表明:与传统SiGe HBT相比,新器件的 f T×BV CEO× β优值改善高达35.5%,有效拓展了功率SiGe HBT的高压大电流工作范围.
-
关键词:
- SiGe异质结双极晶体管(HBT) /
- 超结 /
- 击穿电压
Abstract:To enhance the breakdown voltages (BV CBO/BV CEO) at a fixed cutoff frequency ( f T) and current gain ( β), a model of npn SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) with superjunction collector was established by SILVACO TCAD. The research shows that the p-type superjunction layer inside the collector-base (CB) space charge region (SCR) lowers the electric field in the “dead space region”, and shifts the part of the high electric field somehow deep into the CB SCR which is located at the outside of the “dead space region”. As a result, impact ionization is suppressed, whereas the width of the CB SCR is slightly increased, and hence the breakdown voltages are improved at a minor expense of f T and β. As the increase of the thickness of p-type superjunction layer ( d p), the breakdown voltages including BV CBO and BV CEO are improved more obviously. However, d p also needs to be optimized, considering that larger d p would lead to Kirk effect and give rise to a dramatic decrease of f T and β. Furthermore, the value of d p in p-type superjunction layer is optimized as 0.2μm for a novel superjuction collector SiGe HBT with figure of merit of high frequency high voltage and high current ( f T×BV CEO× β). Compared with the conventional SiGe HBT, the figure of merit of f T×BV CEO× β for the novel device is markedly improved by 35.5%, which effectively develops the high voltage and high current application of power SiGe HBT.
-
SiGe异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)在具有大电流增益、高厄尔利电压的同时,还具有优异的高频特性,现已广泛应用于移动电话、蓝牙、卫星导航、相控阵天线、汽车雷达等射频和微波电路中 [ 1- 3] . 特别是随着第4代SiGe工艺的全面提升,SiGe HBT将在毫米波雷达、太赫兹成像和传感系统、100Gbit/s高速通信系统等领域发挥越来越重要的作用 [ 4- 6] . 通过不断优化SiGe HBT的横、纵向结构尺寸虽可显著提升频率特性,却不可避免地导致器件击穿电压的大幅降低(BV CBO<6V,BV CEO<2V) [ 7- 9] ,从而严重限制了高频系统的输出功率,影响射频系统的信噪比.
为改善器件的击穿电压,Chen [ 10] 早在20世纪90年代就提出复合缓冲层,即超结结构,来解决“硅极限”问题. 近期陈星弼院士课题组又展开了掺杂浓度分布可变的新型超结结构研究 [ 11] . 然而上述超结结构重点针对功率MOSFET进行设计,虽可借鉴到SiGe HBT的集电区设计中,但由于该超结结构与集电结呈垂直分布,在有效提高击穿电压的同时将显著增大集电结空间电荷区渡越时间( τ scr),进而大幅退化器件的高频特性 [ 12- 13] . 随后,一种与集电结平行的新型超结结构被提出用于设计微波功率SiGe HBT [ 14- 15] . 上述工作重点研究了超结结构掺杂浓度及其分布对击穿电压的影响,旨在牺牲较小特征频率( f T)的前提下改善器件的击穿特性,并没有研究超结结构对器件电流增益( β)的影响. 然而,由“约翰逊极限” [ 16] 可知,微波晶体管通常需要工作在较大的电流密度下,较大的电流增益还可用于折中基极电阻进而提高器件的高频特性 [ 17] . 因此,本文重点对同时具有高击穿电压、高特征频率和高电流增益的新型超结集电区SiGe HBT展开研究,通过优化设计超结层厚度,降低集电结及其附近的电场强度和电子温度,进而在几乎不扩展集电结空间电荷区宽度的情况下抑制碰撞电离,达到提高击穿电压、改善特征频率和电流增益的目的,最终设计出一款具有高频高压大电流优值( f T×BV CEO× β)的新型超结集电区SiGe
HBT. 本文研究工作对拓展SiGe HBT在微波大功率领域的应用具有重要的理论意义.
1 器件建模
本文采用商业半导体仿真工具SILVACO TCAD的二维工艺仿真器ATHENA建立了npn型超结集电区SiGe HBT器件模型,如 图1所示. 该模型通过在集电结(collector-base,CB)空间电荷区(space-charge region,SCR)内引入反向掺杂的p型超结层来形成新型的超结集电区结构,其中n -集电区的杂质浓度 N C为1×10 16cm -3,p型超结层的杂质浓度 N p为2×10 16cm -3,厚度 d p为0.1μm. 超结集电区SiGe HBT的杂质浓度分布如 图2所示. 为便于比较,本文还建立了传统SiGe HBT的器件模型,除集电区外,其他的杂质浓度分布均保持一致. 进一步利用二维器件仿真器ATLAS对器件的电学特性进行仿真,其中加入了Selberherr碰撞电离模型(selb)、能量平衡传输模型(hcte)、迁移率受杂质浓度影响模型(conmob)、迁移率受电场影响模型(fldmob)、与浓度和温度有关的迁移率模型(analytic)、禁带变窄模型(bgn),同时还加入了SRH复合模型、俄歇复合模型(auger)以及依赖于杂质浓度的载流子寿命模型(consrh).
2 模拟和分析
基于上述器件模型,本文模拟得到npn型超结集电区SiGe HBT(HBT-2)的电场强度( E)和电子温度( T n)分布,并与传统SiGe HBT(HBT-1)进行了比较,如 图3所示. 考虑非本征碰撞电离效应的影响,当电子从发射区注入到CB SCR边界后,将在位于集电结峰值电场和峰值电子温度之间“死区”内电场的作用下不断加速,使得 T n越来越高,当 T n所对应的电子动能达到电子电离的临界能时,就会触发碰撞电离,导致器件发生雪崩击穿 [ 18] . 可见,碰撞电离与“死区”内的电场分布有关,在“死区”外侧的集电区内的电场强度即使再增大,也不会对CB SCR内的碰撞电离产生影响. 因此,从提高器件击穿电压的角度出发,一方面需要降低“死区”内的电场强度,另一方面需要将高电场适当转移至较深的CB SCR内.
![]()
图 3 2种SiGe HBTs电场强度( E)和电子温度( T n)分布的比较Figure 3. Comparison of the distributions of electric field ( E) and electron temperature ( T n) for two types of SiGe HBTs![]()
图 4 2种SiGe HBTs集电极电流( I C)随集电结电压( V CB)的变化关系曲线Figure 4. Collector current ( I C) versus voltage of CB junction ( V CB) for two types of SiGe HBTs从 图3可以看出,与HBT-1相比,HBT-2的集电结峰值电场降低了25.9kV/cm,峰值电子温度降低了678.4K,且HBT-2具有更为平缓的集电区电场分布. 这是因为对于HBT-2来说,一方面由于p型超结层与靠近基区侧的n -型集电区的相互耗尽,将产生与集电结电场方向相反的少子减速电场,从而降低了“死区”内的电场强度;另一方面p型超结层与靠近n +衬底侧的n -型集电区的相互耗尽,将产生与集电结电场方向相同的少子加速电场,从而使电场强度在较深的CB SCR内有所升高. 进一步给出了上述2种器件集电极电流( I C)随集电结电压( V CB)的变化关系曲线,如 图4所示. 可以看出,与HBT-1相比,HBT-2的BV CBO提高了5.0V,改善达9.5%.
根据能量平衡传输模型,电子的碰撞电离率 α n可表示为 [ 19]
α n =aexp(
式中: a、 b为拟合参数; E eff,n为有效电场强度 .
考虑到非本征碰撞电离效应的影响, E eff,n可表示为 [ 19]
E eff,n =
式中 c为电子饱和速度与其能量弛豫时间的乘积 .
从式(1)(2)可以看出 α n与 T n呈e指数关系. 进一步给出2种SiGe HBTs电子碰撞电离率分布,如 图5所示. 与HBT-1相比,随着 T n的降低,HBT-2的峰值 α n从154.1cm -1减小为36.9cm -1,即有效减少了单位距离内因碰撞而产生的载流子数量,从而有利于提高器件的击穿电压BV CEO.
![]()
图 5 2种SiGe HBTs的电子碰撞电离率( α n)分布曲线Figure 5. Distributions of electron ionization coefficient ( α n) for two types of SiGe HBTs图6给出了上述2种器件基极电流( I B)随集电极-发射极间电压( V CE)变化关系曲线. 可以看出,与HBT-1相比,HBT-2的BV CEO提高了3.5V,改善高达31.8%.
![]()
图 6 2种SiGe HBTs基极电流( I B)随集电极-发射极间电压( V CE)的变化关系曲线Figure 6. Base current ( I B) versus voltage of collector-emitter( V CE) for two types of SiGe HBTs此外,还给出了上述2种器件 f T和 β随 I C的变化关系曲线,如 图7所示. 可以看出,与HBT-1相比,HBT-2的峰值 f T仅下降了1.8%. 这是由于p型超结层的引入,使得CB SCR宽度仅略微增加,相应增大了CB SCR的渡越时间 τ scr,进而导致器件频率特性的轻微退化. 同时,与HBT-1相比,HBT-2的峰值 β仅下降了3.6%,仍保持了较高的电流处理能力.
![]()
图 7 2种SiGe HBTs特征频率( f T)和电流增益( β)随集电极电流( I C)的变化关系曲线Figure 7. Cutoff frequency ( f T) and current gain ( β) versus collector current ( I C) for two types of SiGe HBTs由“约翰逊极限” [ 16] 可知, f T×BV CEO× β优值常用来表征功率晶体管的高频高压大电流特性. 本文提出的在集电区引入p型超结层的HBT-2可在牺牲很少 f T和 β(<4.0%)的情况下有效提高器件的击穿电压. 本文将进一步通过优化p型超结层厚度来提高器件的 f T×BV CEO× β优值.
![]()
图 8 具有不同p型超结层厚度的SiGe HBTs的电场 强度( E)分布曲线Figure 8. Distributions of electric field ( E) for SiGe HBTs with different thickness of p-type superjunction layer图8给出了具有不同p型超结层厚度的SiGe HBTs在一定偏置状态下的电场分布曲线,其中不同p型超结层厚度的SiGe HBTs的杂质浓度分布如 图9所示. 可以看出,随着 d p的增加,靠近基区侧的集电结峰值电场逐渐降低,而靠近n +衬底侧较深CB SCR内的电场分布则逐渐升高. 当 d p增大为0.2μm(HBT-3)时,在整个CB SCR内器件具有最低的峰值电场,此时集电区电场分布趋于平缓,有利于器件承受更高的击穿电压. 当 d p继续增大为0.5μm(HBT-4)时,虽然靠近基区侧的集电结电场进一步降低,即BV CBO进一步提高,但器件的集电结峰值电场已经完全移至深CB SCR内,这将引发Kirk效应 [ 20] ,进而显著降低器件的电流增益和特征频率.
![]()
图 9 具有不同p型超结层厚度的SiGe HBTs的杂质 浓度分布Figure 9. Doping profiles for SiGe HBTs with different thickness of p-type superjunction layer图10给出了上述4种器件 I C随 V CB的变化关系曲线. 可以看出,随着 d p的增加,器件BV CBO的改善也越显著. 与HBT-1相比,HBT-2、HBT-3和HBT-4的BV CBO分别提高了5.0、9.9、20.1V,改善分别达9.5%、18.9%、38.3%.
![]()
图 10 4种SiGe HBTs集电极电流( I C)随集电结电压( V CB)的变化关系曲线Figure 10. Collector current ( I C) versus voltage of CB ( V CB) junction for four types of SiGe HBTs图11给出了上述4种器件在相同偏置状态下的电子温度分布曲线. 可以看出,随着 d p的增加,靠近基区侧的峰值电子温度逐渐降低,而靠近n +衬底侧较深CB SCR内的电子温度则逐渐升高. 当 d p增大为0.2μm时,在整个CB SCR内器件具有最低的峰值电子温度,此时集电区电子温度分布趋于平缓. 当 d P继续增大为0.5μm时,峰值电子温度已经完全移至深CB SCR内. 进一步给出上述4种器件的电子碰撞电离率分布曲线,如 图12所示. 随着 d p的增加,位于“死区”内的 α n相应减小,且当 d p超过0.2μm后,峰值 α n已减小为3.5cm -1,再通过增大 d p来减小 α n意义不大.
![]()
图 11 4种SiGe HBTs的电子温度( T n)分布曲线Figure 11. Distributions of electron temperature ( T n) for four types of SiGe HBTs![]()
图 12 4种SiGe HBTs的电子碰撞电离率( α n)分布曲线Figure 12. Distributions of electron ionization coefficient ( α n) for four types of SiGe HBTs相应地,上述4种器件 I B随 V CE的变化关系曲线如 图13所示. 可以看出,随着 d p的增加,器件BV CEO的改善也越显著,当 d p超过0.2μm后,由于峰值 α n已几乎不变,因此器件BV CEO的改善幅度也将达到最大. 与HBT-1相比,HBT-2、HBT-3和HBT-4的BV CEO分别提高了3.5、7.5、7.5V,改善分别达31.8%、68.2%、68.2%.
![]()
图 13 4种SiGe HBTs基极电流( I B)随集电极-发射极间电压( V CE)的变化关系曲线Figure 13. Base current ( I B) versus voltage of collector-emitter ( V CE) for four types of SiGe HBTs![]()
图 14 4种SiGe HBTs特征频率( f T)随集电极电流( I C)的变化关系曲线Figure 14. Cutoff frequency ( f T) versus collector current ( I C) for four types of SiGe HBTs![]()
图 15 4种SiGe HBTs电流增益( β)随集电极电流( I C)的变化关系曲线Figure 15. Current gain ( β) versus collector current ( I C) for four types of SiGe HBTs此外,还给出了上述4种器件的 f T和 β随 I C的变化关系曲线,分别如 图14、 图15所示. 可以看出,随着 d P的增加,器件的峰值 f T和峰值 β均有不同程度的下降. 当 d p增大为0.2μm时,器件在提高击穿电压的同时仍保持了较高的 f T和 β. 而当 d p继续增大为0.5μm时,由于引发Kirk效应,使CB SCR大幅展宽,从而使 f T和 β大幅下降.
最后,对上述4种器件的主要性能参数(包括BV CBO、BV CEO、 f T、 β和 f T×BV CEO× β优值)进行了汇总,如 表1所示. 可以看出,随着 d p的增加,器件的 f T×BV CEO× β优值呈现先增大后减小的趋势. 其中,当 d p增大为0.2μm(HBT-3)时,在整个CB SCR内器件具有最低的峰值电场,此时集电区电场分布趋于平缓,峰值 α n已减小为3.5cm -1,因此器件的 f T×BV CEO× β优值最高,达到89355GHz·V,与HBT-1相比,优值改善高达35.5%,这将有效拓展微波功率SiGe HBT的高压大电流工作范围.
表 1 4种SiGe HBTs的主要性能参数Table 1. Main performance parameters of the four types of SiGe HBTs器件 HBT-1 HBT-2 HBT-3 HBT-4 d P/μm 0 0.1 0.2 0.5 BV CBO/V 52.5 57.5 62.4 72.6 BV CEO/V 11.0 14.5 18.5 18.5 f T/GHz ( V CE=8V) 54.5 53.5 48.3 3.2 β ( V CE=8V) 110 106 100 42 f T×BV CEO× β /(GHz·V) 65945 82230 89355 2486 3 结论
1) 为改善微波功率SiGe HBT的高频高压大电流特性,本文通过在集电结空间电荷区(CB SCR)内引入p型超结层,开展了一种与集电结平行的新型超结集电区结构设计研究. 研究表明,由于引入的p型超结层与相邻n -型集电区相互耗尽,将在靠近基区侧的“死区”内引入少子减速电场来有效降低集电结峰值电场强度,同时在靠近n +衬底侧较深CB SCR内引入少子加速电场来改善电场分布,进而在略微增加CB SCR宽度的情况下抑制碰撞电离,提高器件的击穿电压. 与传统SiGe HBT相比, d p为0.1μm的器件的BV CBO和BV CEO分别改善了9.5%和31.8%,且 f T和 β的下降幅度很小(<4.0%).
2) 进一步通过优化 d p来提高器件的高频高压大电流优值( f T×BV CEO× β). 结果表明,随着 d p的增加,对击穿电压的改善也越显著,当 d p增大为0.2μm时,器件在整个CB SCR内具有最低的峰值电场,此时集电区电场分布趋于平缓,峰值 α n已减小为3.5cm -1,具有最高的 f T×BV CEO× β优值,达到89355GHz·V,与传统SiGe HBT相比,优值改善高达35.5%.
3) 随着 d p的进一步增大,集电结峰值电场将移至深CB SCR内,引发Kirk效应,使CB SCR大幅展宽,进而显著降低器件的 f T和 β, f T×BV CEO× β优值将随之大幅降低.
The authors have declared that no competing interests exist. -
![]()
图 3 2种SiGe HBTs电场强度( E)和电子温度( T n)分布的比较
Figure 3. Comparison of the distributions of electric field ( E) and electron temperature ( T n) for two types of SiGe HBTs
![]()
图 4 2种SiGe HBTs集电极电流( I C)随集电结电压( V CB)的变化关系曲线
Figure 4. Collector current ( I C) versus voltage of CB junction ( V CB) for two types of SiGe HBTs
![]()
图 5 2种SiGe HBTs的电子碰撞电离率( α n)分布曲线
Figure 5. Distributions of electron ionization coefficient ( α n) for two types of SiGe HBTs
![]()
图 6 2种SiGe HBTs基极电流( I B)随集电极-发射极间电压( V CE)的变化关系曲线
Figure 6. Base current ( I B) versus voltage of collector-emitter( V CE) for two types of SiGe HBTs
![]()
图 7 2种SiGe HBTs特征频率( f T)和电流增益( β)随集电极电流( I C)的变化关系曲线
Figure 7. Cutoff frequency ( f T) and current gain ( β) versus collector current ( I C) for two types of SiGe HBTs
![]()
图 8 具有不同p型超结层厚度的SiGe HBTs的电场 强度( E)分布曲线
Figure 8. Distributions of electric field ( E) for SiGe HBTs with different thickness of p-type superjunction layer
![]()
图 9 具有不同p型超结层厚度的SiGe HBTs的杂质 浓度分布
Figure 9. Doping profiles for SiGe HBTs with different thickness of p-type superjunction layer
![]()
图 10 4种SiGe HBTs集电极电流( I C)随集电结电压( V CB)的变化关系曲线
Figure 10. Collector current ( I C) versus voltage of CB ( V CB) junction for four types of SiGe HBTs
![]()
图 11 4种SiGe HBTs的电子温度( T n)分布曲线
Figure 11. Distributions of electron temperature ( T n) for four types of SiGe HBTs
![]()
图 12 4种SiGe HBTs的电子碰撞电离率( α n)分布曲线
Figure 12. Distributions of electron ionization coefficient ( α n) for four types of SiGe HBTs
![]()
图 13 4种SiGe HBTs基极电流( I B)随集电极-发射极间电压( V CE)的变化关系曲线
Figure 13. Base current ( I B) versus voltage of collector-emitter ( V CE) for four types of SiGe HBTs
![]()
图 14 4种SiGe HBTs特征频率( f T)随集电极电流( I C)的变化关系曲线
Figure 14. Cutoff frequency ( f T) versus collector current ( I C) for four types of SiGe HBTs
![]()
图 15 4种SiGe HBTs电流增益( β)随集电极电流( I C)的变化关系曲线
Figure 15. Current gain ( β) versus collector current ( I C) for four types of SiGe HBTs
表 1 4种SiGe HBTs的主要性能参数
Table 1 Main performance parameters of the four types of SiGe HBTs
器件 HBT-1 HBT-2 HBT-3 HBT-4 d P/μm 0 0.1 0.2 0.5 BV CBO/V 52.5 57.5 62.4 72.6 BV CEO/V 11.0 14.5 18.5 18.5 f T/GHz ( V CE=8V) 54.5 53.5 48.3 3.2 β ( V CE=8V) 110 106 100 42 f T×BV CEO× β /(GHz·V) 65945 82230 89355 2486 
下载: 导出CSV
-
[1] PORRANZLM,WAGNERC,JAEGERH,et al.An active quasi-circulator for 77GHz automotive FMCW radar systems in SiGe technology[J].IEEE Microwave and Wireless Components Letters,2015,25(5):313-315. [2] SARMAHN,CHEVALIERP,PFEIFFER UR.160-GHz power amplifier design in advanced SiGe HBT technologies with Psat in excess of 10dBm[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2013,61(2):939-947. [3] ÖZTÜRKE,NEMATI MH,KAYNAKM,et al.SiGe process integrated full-360° microelectromechanical systems-based active phase shifter for W-band automotive radar[J].IET Microwaves, Antennas & Propagation,2014,8(11):835-841. [4] CARDOSO AS,OMPRAKASH AP,CHAKRABORTY PS,et al.On the cryogenic RF linearity of SiGe HBTs in a fourth-generation 90-nm SiGe BiCMOS technology[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2015,62(4):1127-1135. [5] PEKARIK JJ,ADKISSONJ,GRAYP,et al.A 90nm SiGe BiCMOS technology for mm-wave and high-performance analog applications[C]∥2014 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting. Coronado, CA: IEEE,2014:92-95. [6] STATNIKOVK,GRZYBJ,HEINEMANNB,et al.160-GHz to 1-THz multi-color active imaging with a lens-coupled SiGe HBT chip-set[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2015,63(2):520-532. [7] SCHRÖTERM,WEDELG,HEINEMANNB,et al.Physical and electrical performance limits of high-speed SiGeC HBTs—part I: vertical scaling[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2011,58(11):3687-3696. [8] SCHRÖTERM,KRAUSEJ,RINALDIN,et al.Physical and electrical performance limits of high-speed SiGeC HBTs—part II: lateral scaling[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2011,58(11):3697-3706. [9] FLEETWOOD ZE,CARDOSO AS,SONGI,et al.Evaluation of enhanced low dose rate sensitivity in fourth-generation SiGe HBTs[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,2014,61(6):2915-2922. [10] CHEN X B.Semiconductor power devices with alternating conductivity types high-voltage breakdown regions: US052162753[P].1993-06-01[2015-12-22].http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?DB=worldwide.espacenet.com&II=1&ND=3&adjacent=true&locale=en_EP&FT=D&date=19930601&CC=US&NR=5216275A&KC=A. [11] LINZ,HUANG HM,CHEN XB.An improved superjunction structure with variation vertical doping profile[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2015,62(1):228-231. [12] JIN DY,ZHAO XY,ZHANG WR,et al.Novel superjunction collector power SiGe HBTs with high thermal stability[C]∥2014 IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology.Guilin: IEEE,2014. [13] 鲁东,金冬月,张万荣,等.新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管[J].物理学报,2013,62(10):104401. LUD,JIN DY,ZHANG WR,et al.Novel microwave power SiGe heterojunction bipolar transistor with high thermal stability over a wide temperature range[J].Acta Physica Sinica,2013,62(10):104401. (in Chinese)
[14] YUAN JH,CRESSLER JD.Design and optimization of superjunction collectors for use in high-speed SiGe HBTs[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2011,58(6):1655-1662. [15] FUQ,ZHANG WR,JIN DY,et al.Collector optimization for tradeoff between breakdown voltage and cut-off frequency in SiGe HBT[J].Chinese Physics B,2014,23(11):114402. [16] JOHNSON EO.Physical limitations on frequency and power parameters of transistors[C]∥1958 IRE International Convention Record. New York: IEEE,1966:27-34. [17] PERSSONS,FJERM,ESCOBEDO-COUSINE,et al.Strained-silicon heterojunction bipolar transistor[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2010,57(6):1243-1252. [18] CRESSLER JD,NIU GF.Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors[M].London: Artech House,2003:128-131. [19] SILVACO,Inc.ATLAS user’s manual[M].Santaclara, CA: SILVACO, Inc,2010:112-113. [20] SZE SM,NG KK.Physics of semiconductor devices[M].3rd ed. Hoboken, New Jersey: John Wiley & Sons, Inc,2007:259-261.
计量
- 文章访问数: 17
- HTML全文浏览量: 1
- PDF下载量: 10
